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HX251系列是高性能CMOS输出振荡器,HX2513A0024.000000

来源:http://konuaer.com 作者:康华尔电子 2022年07月28
DIODES百利通亚陶晶振所生产的石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体广泛应用于智能设备,汽车电子,无线通讯,网络通信,精密仪器,GPS卫星,网络控制器,全球GPS定位系统等领域.工程、销售、仓储和物流办事处设在台北,香港、曼彻斯特、上海、深圳、中国、韩国、慕尼黑、德国、以及世界各地的支持办事处.
HX251系列是高性能CMOS输出振荡器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高温晶振

FNETHE025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FNETHE025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FNETHE025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FNSURV027 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 27MHz ±30ppm
FNSURV027 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 27MHz ±30ppm
FNSURV027 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 27MHz ±30ppm
FNGEPO002 亚陶石英晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 2.048MHz ±50ppm
FNGEPO002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 2.048MHz ±50ppm
FNGEPO002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 2.048MHz ±50ppm
FKSSD1025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FKSSD1025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FKSSD1025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
UJWIFI026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 26MHz ±20ppm
UJWIFI026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 26MHz ±20ppm
UJWIFI026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 26MHz ±20ppm
FNEPON125 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 125MHz ±50ppm
FNEPON125 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 125MHz ±50ppm
FNEPON125 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 125MHz ±50ppm
FK1330001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FK 13.3333MHz ±25ppm
FK1330001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FK 13.3333MHz ±25ppm
FK1330001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FK 13.3333MHz ±25ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
我们的有源晶体振荡器 (CXO) 提供高价值、卓越的性能和功能以及卓越的品质和服务。我们为批量生产提供快速周转样品、响应式技术支持和快速交货时间。
提供多种类型和特性:
1) 尺寸从 7x5mm 到 2.0x1.6mm,
2) 传统 CXO 的温度稳定性为 ±5PPM,
3) CMOS/TTL、LVPECL、LVDS、HCSL差分晶振的输出逻辑格式,和慢性粒细胞白血病。
我们的 CXO 被领先制造商用于各种要求苛刻的应用,从消费类到工业、汽车 (AEC-Q200/AEC-Q104)、网络、存储、计算、电信等。
HX251系列是高性能CMOS输出振荡器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高温晶振
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm
SXGPON155 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 155.52MHz ±50ppm
SXGPON155 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 155.52MHz ±50ppm
SXGPON155 亚陶晶体振荡器 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 155.52MHz ±50ppm
HX2513F0026.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 26MHz ±50ppm
HX2513F0026.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 26MHz ±50ppm
HX2513F0026.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 26MHz ±50ppm
HX3125006Q Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±30ppm
HX3125006Q Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±30ppm
HX3125006Q Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±30ppm
NX3211C0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm
NX3211C0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm
NX3211C0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 16MHz ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 16MHz ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 16MHz ±50ppm
JX7011D0070.656000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ JX 70.656MHz ±25ppm
JX7011D0070.656000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ JX 70.656MHz ±25ppm
JX7011D0070.656000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ JX 70.656MHz ±25ppm
UJ2600007Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ UJ 26MHz ±20ppm
HX251 XO 系列是高性能CMOS输出振荡器系列,支持高温且抖动性能极低,小体积晶振尺寸2.5x2.0mm四脚贴片晶振、高温CMOS晶体振荡器,它支持各种选项,包括更宽的频率范围、1.8V/2.5V/3.3V 电压以及在宽温度范围内的各种稳定性。它旨在满足通信系统、工业应用和其他高性能设备的时钟源规范。
特征:
支持高达125ºC的高温
低相位抖动 - < 1ps RMS 最大值。
宽频率范围 - 1.75 ~ 161MHz
更厚的晶体以提高可靠性
低电源电流 - 最大 40mA。
无铅且符合 RoHS 标准
应用:
网络系统
工业系统
专业视频设备
测试和测量
HX251系列是高性能CMOS输出振荡器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高温晶振
UJ2600007Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ UJ 26MHz ±20ppm
UJ2600007Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ UJ 26MHz ±20ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 11.2896MHz ±25ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 11.2896MHz ±25ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 11.2896MHz ±25ppm
FDC500026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FD 125MHz ±50ppm
FDC500026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FD 125MHz ±50ppm
FDC500026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FD 125MHz ±50ppm
HX7011C0025.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±25ppm
HX7011C0025.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±25ppm
HX7011C0025.000000 百利通亚陶有源晶振 SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±25ppm
NX5011B0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX5011B0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX5011B0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
FNA000088Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±50ppm
FNA000088Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±50ppm
FNA000088Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±50ppm
FNA000065 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±25ppm
FNA000065 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±25ppm
FNA000065 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±25ppm
NX71C50003 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX71C50003 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX71C50003 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
FNC500131 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 125MHz ±50ppm
FNC500131 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 125MHz ±50ppm
HX251系列是高性能CMOS输出振荡器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高温晶振
HX201   标准 25 ~ 100 2.0 x 1.6 x 0.75 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、2.0x1.6mm、高温CMOS晶体振荡器
HX251   标准 25 ~ 100 2.5 x 2.0 x 0.9 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、2.5x2.0mm、耐高温晶振CMOS晶体振荡器
HX321   标准 25 ~ 100 3.2 x 2.5 x 1.0 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、3.2x2.5mm、高温CMOS晶体振荡器
HX322   标准 25 ~ 100 3.2 x 2.5 x 1.0 LVPECL 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、3.2x2.5mm、高温LVPECL晶体振荡器
HX323   标准 25 ~ 100 3.2 x 2.5 x 1.0 LVDS 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、3.2x2.5mm、高温 LVDS 晶体振荡器
HX501   标准 25 ~ 100 5.0 x 3.2 x 1.2 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、5.0x3.2mm、高温CMOS晶体振荡器
HX502   标准 25 ~ 100 5.0 x 3.2 x 1.2 LVPECL 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、5.0x3.2mm、高温LVPECL晶体振荡器
HX503   标准 25 ~ 100 5.0 x 3.2 x 1.2 LVDS 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、5.0x3.2mm、高温 LVDS 晶体振荡器
HX701   标准 25 ~ 100 7.0 x 5.0 x 1.4 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、7.0x5.0mm、高温CMOS晶体振荡器
HX702   标准 25 ~ 100 7.0 x 5.0 x 1.4 LVPECL 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、7.0x5.0mm、高温 LVPECL 晶体振荡器


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