在这个快速变化的时代里,高科技推进技术的进步,同时也带来生活,娱乐,日用方便的便携,随处可见的机会,但并不是人人都能够抓住,亚陶公司优秀的技术人员能够在市场上,找到适合的机遇,并且结合自身的优势,开发出增强型,适用于各个领域高质量的SPXO有源晶振,加速丰富自身的产品线,在品质方面也达到无懈可击,无人可及的高标准和高要求。亚陶开发出温度稳定性能极好的TCXO振荡器WT3253F0026.000000,用于网络系统,ECERA晶振

WT3251I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325BI0032.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	32MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325BI0032.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	32MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325BI0032.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	32MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3253I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3253I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3253I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CF0019.200000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	19.2MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0019.200000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	19.2MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0019.200000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	19.2MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3253F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3253F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3253F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3251F0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3251F0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3251F0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C

Diodes公司（纳斯达克股票代码：DIOD）宣布推出高精度晶振，以及五款具有集成高侧和低侧MOSFET的同步降压转换器，提供具有3.5A或 5A 连续输出电流的负载点 (PoL) 解决方案。这些器件采用专有栅极驱动器技术，可为消费类、工业、网络和汽车应用在降压DC-DC转换中提供卓越的EMI 性能。

WT3251I0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3251I0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3251I0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C

AP64350 、AP64351和AP64352的静态电流 (Iq) 为 22μA，而AP64500和AP64501的 Iq仅为25μA。亚陶晶振推出所有器件均具有低RDS(ON) 并在 3.8V 和40V之间的电源电压下工作，并提供低压差 (LDO) 模式。除了优化的栅极驱??动器设计外，这些部件还采用扩频拓扑结构来进一步降低 EMI。

此外，AP64351和AP64501实现了可编程软启动，可以减轻浪涌电流和跟踪的影响，从而更有效地实施电源排序。
开关频率可在100kHz和2.2MHz之间调节。这种可调频率允许工程师根据效率、外部组件的尺寸或射频与其他系统级功能的兼容性，为其应用选择最合适的配置。亚陶开发出温度稳定性能极好的TCXO振荡器WT3253F0026.000000,用于网络系统,ECERA晶振

FNETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNSURV027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C
FNSURV027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C
FNSURV027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C
FNGEPO002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNGEPO002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNGEPO002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C

AP64350、AP64351、AP64352、AP64500和AP64501采用SO-8EP封装。